标准号：GB/T 45722-2025

现 行

中文名称：半导体器件 恒流电迁移试验

英文名称：Semiconductor devices—Constant current electromigration test

原文名称：

中标分类：L40	ICS分类：31.080.01
标准分类编号：CN	页数：

发布日期：2025-05-30	实施日期：2025-09-01	作废日期：
被替代标准：	代替标准序号：
引用标准：
采用标准化：IEC 62415-2010,IDT

补充修订：

标引依据：国家标准公告2025年第13号

标准摘要：

关联标准：

GB/Z 107-2025 半导体器件 基于扫描的半导体器件退化水平评估 现 行 GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动 未实施 GB/T 46788-2025 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 未实施 GB/T 20521.2-... 半导体器件 第14-2部分:半导体传感器 霍尔元件 未实施 GB/T 20521.5-... 半导体器件 第14-5部分:半导体传感器 PN结半导体温度传感器 未实施 GB/T 4937.38-... 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分:带存储的半导体器件的 未实施 GB/T 4937.44-... 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照 未实施 GB/T 4937.36-... 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分:稳态加速度 未实施 GB/T 4937.29-... 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分:闩锁试验 未实施 GB/T 4937.33-... 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分:加速耐湿 无偏置高压 未实施

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