|
中文名称：带电粒子半导体探测器测量方法
|
|
英文名称：Test procedures for semiconductor charged particle detectors
|
|
原文名称：
|
|
中标分类：F88
|
ICS分类：27.120
|
|
标准分类编号：CN
|
页数：15
|
|
发布日期：2012-06-29
|
实施日期：2012-11-01
|
作废日期：
|
|
被替代标准：
|
代替标准序号：GB/T 5201-1994
|
|
引用标准：GB/T 4960.6-2008;GB/T 10263-2006;GB/T 13178-2008
|
|
采用标准化：IEC 60333-1993,NEQ
|
|
补充修订：
|
|
标引依据：国家标准公告2012年第13号
|
|
标准摘要：本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验方法。本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器。全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行。
|
|
|
|
|
|
|
|
|